Micron gửi mẫu bộ nhớ HBM4 với dung lượng 36GB và băng thông 2TB/s tới các khách hàng chủ chốt

BigGo Editorial Team
Micron gửi mẫu bộ nhớ HBM4 với dung lượng 36GB và băng thông 2TB/s tới các khách hàng chủ chốt

Cuộc cách mạng trí tuệ nhân tạo tiếp tục thúc đẩy nhu cầu chưa từng có đối với các giải pháp bộ nhớ hiệu suất cao, với các nhà sản xuất bộ nhớ đua nhau cung cấp công nghệ thế hệ tiếp theo có thể theo kịp các khối lượng công việc AI ngày càng phức tạp. Khi các ứng dụng AI tạo sinh nhân lên trên nhiều ngành từ chăm sóc sức khỏe đến xe tự lái, nhu cầu về bộ nhớ nhanh hơn, hiệu quả hơn đã trở nên quan trọng để tạo ra những đột phá đổi mới.

Micron cung cấp công nghệ HBM4 thế hệ tiếp theo

Micron Technology đã công bố việc gửi mẫu bộ nhớ HBM4 tới nhiều khách hàng chủ chốt, đánh dấu một cột mốc quan trọng trong phát triển bộ nhớ băng thông cao. Sản phẩm mới nhất của công ty có cấu hình ngăn xếp 12 die cao cung cấp dung lượng 36GB mỗi ngăn xếp, đại diện cho một bước nhảy vọt đáng kể về mật độ bộ nhớ. Được xây dựng trên nút quy trình DRAM 1-beta đã được thiết lập của Micron và tận dụng công nghệ đóng gói tiên tiến đã được chứng minh, các mẫu HBM4 tích hợp khả năng tự kiểm tra tích hợp bộ nhớ tinh vi được thiết kế để đảm bảo tích hợp liền mạch với các nền tảng AI thế hệ tiếp theo.

Thông số kỹ thuật HBM4

Thông số kỹ thuật HBM4 Cải thiện hiệu suất
Dung lượng mỗi stack 36GB (12 tầng) -
Băng thông mỗi stack >2.0TB/s >60% so với thế hệ trước
Độ rộng giao diện 2048-bit -
Hiệu suất năng lượng - Cải thiện >20% so với HBM3E
Quy trình sản xuất 1-beta DRAM -
Lộ trình sản xuất Năm dương lịch 2026 -

Thông số hiệu suất đột phá

Bộ nhớ HBM4 mới đạt được các chỉ số hiệu suất đáng chú ý giải quyết nhu cầu tính toán ngày càng tăng của các ứng dụng AI hiện đại. Với giao diện 2048-bit, mỗi ngăn xếp bộ nhớ cung cấp tốc độ vượt quá 2.0TB/s, tăng hơn 60% hiệu suất so với các giải pháp thế hệ trước. Kiến trúc giao diện mở rộng này tạo điều kiện giao tiếp nhanh chóng giữa bộ nhớ và bộ xử lý, tạo ra thiết kế thông lượng cao được tối ưu hóa đặc biệt để tăng tốc hiệu suất suy luận trong các mô hình ngôn ngữ lớn và hệ thống lý luận chuỗi tư duy.

Hiệu quả năng lượng nâng cao cho trung tâm dữ liệu

Ngoài cải thiện hiệu suất thô, công nghệ HBM4 của Micron mang lại những cải thiện đáng kể về hiệu quả năng lượng giải quyết các mối quan tâm vận hành quan trọng của trung tâm dữ liệu. Giải pháp bộ nhớ mới cung cấp hiệu quả năng lượng tốt hơn 20% so với các sản phẩm HBM3E thế hệ trước của Micron , vốn đã thiết lập các tiêu chuẩn ngành cho hiệu quả năng lượng HBM. Cải thiện này cho phép thông lượng tối đa trong khi giảm thiểu tiêu thụ điện năng, một yếu tố quan trọng đối với các nhà vận hành trung tâm dữ liệu tìm cách tối ưu hóa chi phí vận hành và tác động môi trường.

Bối cảnh thị trường và cạnh tranh

Thị trường bộ nhớ HBM vẫn có tính cạnh tranh cao, với SK Hynix , Samsung và Micron là các nhà cung cấp chính. SK Hynix đã tiên phong công nghệ HBM vào năm 2013 khi nó được áp dụng làm tiêu chuẩn ngành JEDEC , tiếp theo là Samsung vào năm 2016 và Micron gia nhập vào năm 2020. Hiện tại, SK Hynix và Samsung thống trị thị phần, với Micron được định vị là nhà cung cấp lớn thứ ba. Cả ba nhà sản xuất đều nhắm mục tiêu xuất hàng số lượng lớn bộ nhớ HBM4 vào năm 2026, phù hợp với lộ trình khách hàng cho các nền tảng AI thế hệ tiếp theo.

Bối cảnh thị trường HBM

Công ty Vị thế thị trường Năm gia nhập HBM Lộ trình HBM4
SK Hynix Dẫn đầu thị trường 2013 (đầu tiên ra thị trường) Sản xuất hàng loạt năm 2026
Samsung Nhà cung cấp chính 2016 Sản xuất hàng loạt năm 2026
Micron Nhà cung cấp lớn thứ ba 2020 Sản xuất hàng loạt năm 2026

Giải quyết thách thức rào cản bộ nhớ ngày càng tăng

Các chuyên gia ngành đã xác định vấn đề rào cản bộ nhớ quan trọng khi hiệu suất xử lý đã tăng 60.000 lần trong hai thập kỷ qua trong khi băng thông DRAM chỉ cải thiện 100 lần. Sự chênh lệch này tạo ra các nút thắt cổ chai hạn chế hiệu suất hệ thống AI, khiến các giải pháp bộ nhớ băng thông cao như HBM4 trở nên thiết yếu để khai phá toàn bộ tiềm năng của các bộ tăng tốc AI hiện đại. Công nghệ này cho phép các hệ thống AI phản hồi nhanh hơn và lý luận hiệu quả hơn, trực tiếp giải quyết các thách thức hiệu suất suy luận trong các ứng dụng thực tế.

Phân Tích Khoảng Cách Hiệu Suất Bộ Nhớ

  • Cải thiện hiệu suất xử lý: 60.000 lần trong 20 năm
  • Cải thiện băng thông DRAM: 100 lần trong 20 năm
  • Kết quả: Tắc nghẽn nghiêm trọng "rào cản bộ nhớ" hạn chế hiệu suất hệ thống AI
  • Giải pháp: Các công nghệ bộ nhớ băng thông cao như HBM4 để thu hẹp khoảng cách

Lịch trình sản xuất và tác động thị trường

Micron có kế hoạch tăng cường sản xuất HBM4 trong năm dương lịch 2026, phối hợp chặt chẽ với lịch trình khách hàng cho việc ra mắt nền tảng AI thế hệ tiếp theo. Lịch trình này định vị công ty để tận dụng thị trường AI đang mở rộng trong khi hỗ trợ phát triển các ứng dụng AI tinh vi hơn trên các lĩnh vực đa dạng bao gồm chăm sóc sức khỏe, tài chính và giao thông vận tải. Công nghệ này đại diện cho một yếu tố hỗ trợ quan trọng cho sự phát triển liên tục của khả năng AI tạo sinh và việc tích hợp chúng vào các ứng dụng hàng ngày.