SK hynix hoàn thành phát triển HBM4 với tốc độ 10 GT/s và hiệu suất năng lượng tốt hơn 40%

Ngành công nghiệp bộ nhớ đã đạt được một cột mốc quan trọng khi SK hynix thông báo hoàn thành việc phát triển bộ nhớ HBM4 thế hệ tiếp theo và sẵn sàng cho sản xuất hàng loạt. Bước đột phá này đến vào thời điểm quan trọng khi các khối lượng công việc trí tuệ nhân tạo đang thúc đẩy nhu cầu chưa từng có đối với các giải pháp bộ nhớ băng thông cao, và các trung tâm dữ liệu đang vật lộn với chi phí tiêu thụ điện năng ngày càng tăng.

Bước nhảy vọt về hiệu suất cách mạng với độ rộng giao diện tăng gấp đôi

HBM4 của SK hynix đại diện cho một bước tiến công nghệ đáng kể, có giao diện I/O 2.048-bit giúp tăng gấp đôi băng thông so với các thế hệ trước. Đây là lần đầu tiên độ rộng giao diện HBM được tăng gấp đôi kể từ năm 2015, cho phép cải thiện đáng kể khả năng xử lý dữ liệu. Bộ nhớ đạt tốc độ hoạt động vượt quá 10 GT/s, vượt trội hơn 25% so với thông số kỹ thuật tiêu chuẩn JEDEC là 8 GT/s, đưa SK hynix vượt lên trước các tiêu chuẩn ngành.

Thông số kỹ thuật chính của HBM4

Module bộ nhớ HBM4 của SK Hynix , thể hiện thiết kế tiên tiến và độ rộng giao diện tăng gấp đôi để nâng cao khả năng xử lý dữ liệu

Cải thiện hiệu suất năng lượng đáng kể giải quyết mối quan ngại của trung tâm dữ liệu

Bộ nhớ HBM4 mới mang lại cải thiện hơn 40% về hiệu suất năng lượng so với thế hệ tiền nhiệm, giải quyết một trong những thách thức cấp bách nhất mà các trung tâm dữ liệu hiện đại đang đối mặt. Cải tiến này đặc biệt quan trọng khi các khối lượng công việc AI tiếp tục mở rộng và tiêu thụ điện năng trở thành chi phí vận hành ngày càng đáng kể. SK hynix dự báo rằng việc triển khai HBM4 có thể cải thiện hiệu suất dịch vụ AI lên đến 69% đồng thời giảm chi phí điện năng của trung tâm dữ liệu.

Quy trình sản xuất tiên tiến đảm bảo độ tin cậy sản xuất

Công ty đã triển khai quy trình Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) đã được chứng minh cho sản xuất HBM4, quy trình này đã thể hiện độ tin cậy trên thị trường. Ngoài ra, SK hynix sử dụng công nghệ quy trình 1b-nm đã trưởng thành, đại diện cho thế hệ thứ năm của sản xuất cấp 10-nanometer. Sự kết hợp các quy trình đã được chứng minh này nhằm giảm thiểu rủi ro sản xuất trong khi duy trì các đặc tính hiệu suất cần thiết cho các ứng dụng AI đòi hỏi khắt khe.

Chi tiết Công nghệ Sản xuất

• Nút Quy trình: 1b-nm (Thế hệ thứ 5 lớp 10nm)
• Phương pháp Lắp ráp: Advanced MR-MUF tiên tiến (Mass Reflow Molded Underfill)
• Cấu hình Ngăn xếp: Có khả năng cấu hình 12-Hi
• Dung lượng Dự kiến: Ước tính 36 GB mỗi ngăn xếp
• Tình trạng Sản xuất: Sẵn sàng sản xuất hàng loạt

Định vị chiến lược để dẫn đầu cơ sở hạ tầng AI

Theo Joohwan Cho , Trưởng phòng Phát triển HBM tại SK hynix , việc hoàn thành phát triển HBM4 đại diện cho một cột mốc mới cho ngành công nghiệp. Công ty nhấn mạnh cam kết đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về hiệu suất, hiệu quả năng lượng và các chỉ số độ tin cậy. Justin Kim , Chủ tịch và Trưởng phòng AI Infra tại SK hynix , định vị công ty là thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt HBM4 đầu tiên trên thế giới, nhằm trở thành nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện.

Bối cảnh cạnh tranh

Bối cảnh thị trường và cảnh quan cạnh tranh

Thành tựu của SK hynix đến khi các đối thủ cạnh tranh cũng đang vượt qua các thông số kỹ thuật tiêu chuẩn. Micron hiện đang lấy mẫu các thiết bị HBM4 với tốc độ truyền dữ liệu 9.2 GT/s, trong khi Rambus đã phát triển bộ điều khiển bộ nhớ HBM4 có khả năng đạt tốc độ 10 GT/s. Môi trường cạnh tranh này phản ánh nhu cầu mạnh mẽ từ các nhà sản xuất bộ tăng tốc AI, bao gồm AMD , Broadcom và Nvidia , những công ty đang phát triển các sản phẩm thế hệ tiếp theo dự kiến ra mắt vào năm 2026.